Датиев Казбек Муратович

К.М. Датиев родился 29 мая в с.Октябрьское Пригородного района СО АССР. Окончил с отличием в 1967 году факультет электронной техники СКГМИ по специальности "Промыщленная электротехника". Был рекомендован ученым Советом института в аспирантуру Московского института стали и сплавов. Учеба успешно завершилась защитой кандидатской диссертации в 1971 году на тему: "Электрический пробой в гетеропереходах и ген7ерация СВЧ-колебаний с высоким к.п.д". В том же году К.М. Датиев начал работать на кафедре промышленной электроники СКГМИ сначала ассистентом, старшим преподавателем, а затем и доцентом.

К.М. Датиев активно занимается научно-исследовательской работой. Он является видным специалистом в области полупроводниковой электроники. Им разработана теория электрического пробоя гетероперехода. Большой вклад внес он в разработку теории лавинно-пролетных диодов.

Работы Казбека Муратовича высокий научно-технический уровень, им получены оригинальные результаты, имеющие большое практическое и научное назначение.

У К.М. Датиева свыше 95 научных работ, из которых 12 опубликованы в зарубежных изданиях. К.М. Датиев проводит большую учебно-методическую работу. Им поставлены лекционные курсы по полупроводниковым и твердотельным приборам и устройствам, создана учебно-научная лаборатория по полупроводниковой электронике

В1985 году К.М. Датиев был избран деканом факультетом электронной техники, а в 1990 и в 1996 гг-переизбран в этой должности на новыу пятилетние сроки.За активную и плодотворную научно-исследовательскую и учебно-воспитательную работу, подготовку высококвалифицированых спуциалистов К.М. Датиева неоднакратно награждали почетными грамотами.

В 1995 году К.М. Датиев избран академическим советником РАЕН, чл.-корр. Международной академии информатизации, а в 1999 году-членом Международной академии наук экологии и безопасности жихнедеятельности. С 1996 г.-действительный член Нью-Йорской АН.

20 марта 1996 года К.М. Датиеву было присвоено ученое звание профессора.
назад